型号SI3552DV-T1-E3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
• 剪切带（CT）: ￥5.61000,卷带（TR）: ￥2.25433
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250μA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 3.2nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• 功率 - 最大值: 1.15W
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装: 6-TSOP