型号SIR698DP-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
• 剪切带（CT）: ￥10.52000,卷带（TR）: ￥4.78978
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 195 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 210 pF @ 50 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PowerPAK? SO-8
• 封装/外壳: PowerPAK? SO-8