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SIGC25T60SNC

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型号:SIGC25T60SNC

描述:Infineon Technologies Corporation

厂商:IGBT Chip in NPT-Technology

PDF大小:66 K

页数:6 页

 型号SIGC84T120R3LEX1SA7参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT 1200V 75A DIE
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: 沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,75A
  • 功率 - 最大值: -
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: -
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: -
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -
  • 安装类型: -
  • 封装/外壳: -
  • 供应商器件封装: -
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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