你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 发光二极管  > Si9933BDY-E3 PDF资料

Si9933BDY-E3

型号:Si9933BDY-E3

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:Dual P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

PDF大小:- K

页数:- 页

 型号SI9955DY参数

  • onsemi
  • MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: 2 N-通道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源电压(Vdss): 50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 30nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 345pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 900mW
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOIC

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30