型号SI1499DH-T1-E3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
• 剪切带（CT）: ￥5.38000,卷带（TR）: ￥2.15413
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 800mV @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）: ±5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 650 pF @ 4 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），2.78W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: SC-70-6
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363