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 型号SGS5N60RUFDTU参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 8A 35W TO220F
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 15 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.8V @ 15V,5A
  • 功率 - 最大值: 35 W
  • 开关能量: 88μJ(开),107μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 16 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/34ns
  • 测试条件: 300V,5A,40 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): 55 ns
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装: TO-220F-3
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SGS5N150UF

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5500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - - SINGLE IGBT, 1.5KV, 10A Transistor Type:IGBT DC

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