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型号:SGM2016M

描述:Sony Corporation

厂商:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

PDF大小:112 K

页数:4 页

 型号SGM2N60UFTF参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.4 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 10 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.6V @ 15V,1.2A
  • 功率 - 最大值: 2.1 W
  • 开关能量: 30μJ(开),13μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 9 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/80ns
  • 测试条件: 300V,1.2A,200 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装: SOT-223-4

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