型号SE50PAJ-M3/I参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
• 剪切带（CT）: ￥4.07000,卷带（TR）: ￥1.39385
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 940 mV @ 2.5 A
• 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 2 μs
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 μA @ 600 V
• 不同?Vr、F 时电容: 32pF @ 4V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘
• 供应商器件封装: DO-221BC（SMPA）
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C