型号SD211DE TO-72 4L参数

• Linear Integrated Systems, Inc.
• HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
• 散装: ￥60.75000
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，25V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 欧姆 @ 1mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 1μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• Vgs（最大值）: +25V，-300mV
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 300mW（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-72-4
• 封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐