型号SCT040H65G3AG参数

• STMicroelectronics
• AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
• 剪切带（CT）: ￥124.18000,卷带（TR）: ￥94.07530
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: SiC（碳化硅结晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 55 毫欧 @ 20A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 39.5 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）: +18V，-5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 920 pF @ 400 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 221W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: H2PAK-7
• 封装/外壳: TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA