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TZQ5222B-GS08
型号：TZQ5222B-GS08
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：152 K
页数：6 页
型号TZQ5240B-GS18参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 10V 500MW SOD80
- 剪切带（CT）: ￥1.84000,卷带（TR）: ￥0.24127
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
- 容差: ±5%
- 功率 - 最大值: 500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 μA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SOD-80 变式
- 供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TZQ5222B-GS08
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| TZQ5222B-GS08
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - |
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