型号TSM4ND65CI参数

• Taiwan Semiconductor Corporation
• MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
• 管件: ￥9.14000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 596 pF @ 50 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 41.6W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: ITO-220
• 封装/外壳: TO-220-3 全封装，隔离接片