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TPS1101DR
型号：TPS1101DR
描述：Texas Instruments Incorporated
厂商：Single P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
PDF大小：160 K
页数：10 页
型号TPS1191RB-2-TR参数
- Stanley Electric Co
- SENSOR PHOTO 900NM TOP VIEW 1206
- 剪切带（CT）: ￥5.01000,卷带（TR）: ￥1.26502
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 20 mA
- 电流 - 暗 (Id)（最大值）: 100 nA
- 波长: 900nm
- 视角: 110°
- 功率 - 最大值: 75 mW
- 安装类型: 表面贴装型
- 方向: 顶视图
- 工作温度: -30°C ~ 85°C
- 封装/外壳: 1206（3216 公制）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPS1101DR
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| 1000 | TI | 原装 |09/10+ | 最新批次 | - | |
| TPS1101DR
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| 1000 | TI | 原装 |09/10+ | 最新批次 | - | |
| TPS1101DRG4
|
| 1000 | TI | SOP8 | 最新批次 | - | |
| TPS1101DRG4
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| 1000 | TI | SOP8 | 最新批次 | - |
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