型号TPS1100D参数

• Texas Instruments
• MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
• 管件: ￥14.44000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 15 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 5.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: +2V，-15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 791mW（Ta）
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-SOIC
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）