型号TPH1R712MD,L1Q参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
• 剪切带（CT）: ￥10.91000,卷带（TR）: ￥4.49258
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 182 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）: ±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10900 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 78W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）
• 封装/外壳: 8-PowerVDFN