型号TPC8408,LQ(S参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
• 卷带（TR）: ￥4.37605
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.1A，5.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 100μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 24nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 850pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 450mW
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOP