型号TP90H180PS参数

• Transphorm
• GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
• 管件: ￥87.55000
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 通道
• 技术: GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
• 漏源电压（Vdss）: 900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 205 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 500μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 10 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）: ±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 780 pF @ 600 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 78W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220AB
• 封装/外壳: TO-220-3