型号TK750A60F,S4X参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
• 管件: ￥14.13000
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1130 pF @ 300 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220SIS
• 封装/外壳: TO-220-3 整包