型号TK14G65W,RQ参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
• 剪切带（CT）: ￥17.97000,卷带（TR）: ￥8.81968
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 250 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 690μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 300 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 130W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: D2PAK
• 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB