型号TK125V65Z,LQ参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
• 剪切带（CT）: ￥35.79000,卷带（TR）: ￥18.43193
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.02mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 300 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 4-DFN-EP（8x8）
• 封装/外壳: 4-VSFN 裸露焊盘