型号TK11S10N1L,LXHQ参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
• 剪切带（CT）: ￥7.83000,卷带（TR）: ￥3.31145
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 28 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 100μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 850 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 65W（Tc）
• 工作温度: 175°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: DPAK+
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63