型号TC8220K6-G参数

• Microchip Technology
• MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
• 剪切带（CT）: ￥20.58000,卷带（TR）: ￥15.54433
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 200V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 56pF @ 25V
• 功率 - 最大值: -
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 12-VFDFN 裸露焊盘
• 供应商器件封装: 12-DFN（4x4）