型号TC6321T-V/9U参数

• Microchip Technology
• MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
• 卷带（TR）: ￥11.40476
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 200V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA，2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 110pF @ 25V，200pF @ 25V
• 功率 - 最大值: -
• 工作温度: -55°C ~ 175°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
• 供应商器件封装: 8-VDFN（6x5）