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3SK257
型号：3SK257
描述：Toshiba America, Inc.
厂商：Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type
PDF大小：2845 K
页数：4 页
型号3SK294(TE85L,F)参数
- Toshiba Semiconductor and Storage
- FET RF 12.5V 500MHZ USQ
- 剪切带（CT）: ￥3.69000,卷带（TR）: ￥1.05938
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: N 通道
- 频率: 500MHz
- 增益: 26dB
- 电压 - 测试: 6 V
- 额定电流（安培）: 30mA
- 噪声系数: 1.4dB
- 电流 - 测试: 10 mA
- 功率 - 输出: -
- 电压 - 额定: 12.5 V
- 封装/外壳: SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装: USQ
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