型号VWM350-0075P参数

• IXYS
• MOSFET 6N-CH 75V 340A V2
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: 6 N-沟道（3 相桥）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 75V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 340A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 毫欧 @ 250A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 450nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• 功率 - 最大值: -
• 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: V2-PAK
• 供应商器件封装: V2-PAK