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 型号VQ2001P-2参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: 4 个 P 通道
  • FET 功能: 标准
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 @ 1A,12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 2W
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: 14-DIP
  • 供应商器件封装: 14-DIP
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
VQ2001J

2000 SILICONIX DIP 9+ 全新原装、热卖

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