型号VP2110K1-G参数

• Microchip Technology
• MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
• 剪切带（CT）: ￥6.68000,卷带（TR）: ￥5.06857
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 60 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3