型号VN2210N2参数

• Microchip Technology
• MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
• 袋: ￥135.01000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 350 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 10mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 360mW（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-39
• 封装/外壳: TO-205AD，TO-39-3 金属罐