型号UPA2816T1S-E2-AT参数

• Renesas Electronics America Inc
• MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
• 卷带（TR）: ￥4.01440
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.5 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: +20V，-25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1160 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-HWSON（3.3x3.3）
• 封装/外壳: 8-PowerWDFN