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型号:uPA1980TE

描述:NEC Corporation

厂商:P-Channel MOS FET with Schottky Barrier Diode for Switching

PDF大小:79 K

页数:8 页

 型号UPA1981TE-T1-A参数

  • Renesas
  • UPA1981TE-T1-A - N-CHANNEL/P-CHA
  • 散装: ¥1.48697
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: N 和 P 沟道
  • FET 功能: 标准
  • 漏源电压(Vdss): 8V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70mOhm @ 2.8A, 5V, 105mOhm @ 1.9A, 2.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
  • 功率 - 最大值: 1W(Ta)
  • 工作温度: 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SC-95
  • 供应商器件封装: SC-95

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