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型号:UGF21060

描述:Cree Microwave Inc.

厂商:60W, 2.17 GHz, 28V Broadband RF Power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

PDF大小:253 K

页数:3 页

 型号UGF2008G参数

  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
  • 管件: ¥5.27636
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管配置: 1 对共阴极
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 10 A
  • 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 600 V
  • 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商器件封装: ITO-220AB
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
UGF21060

500 - - 最新批号 原装现货

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