型号US6J2TR参数

• Rohm Semiconductor
• MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
• 剪切带（CT）: ￥5.45000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 390 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 2.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 150pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 1W
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装: TUMT6