型号2SK880-Y(TE85L,F)参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• JFET N-CH 50V 0.1W USM
• 剪切带（CT）: ￥4.76000,卷带（TR）: ￥1.67608
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 50 V
• 漏源电压（Vdss）: -
• 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1.2 mA @ 10 V
• 漏极电流 (Id) - 最大值: -
• 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1.5 V @ 100 nA
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13pF @ 10V
• 电阻 - RDS(On): -
• 功率 - 最大值: 100 mW
• 工作温度: 125°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装: USM