你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 小信号场效应管  > 2SK2606 PDF资料

2SK2606

型号:2SK2606

描述:Toshiba America, Inc.

厂商:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Pi-MOS III)

PDF大小:134 K

页数:2 页

 型号2SK2933-E参数

  • Renesas
  • 2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 散装: ¥10.10843
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52mOhm @ 8A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): -
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF @ 10 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 25W(Ta)
  • 工作温度: 150°C
  • 安装类型: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-220CFM
  • 封装/外壳: TO-220-3 整包

第1页

第2页

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30