型号2SJ598-ZK-E1-AZ参数

• Renesas Electronics America Inc
• MP-3ZK
• 剪切带（CT）: ￥7.60000,卷带（TR）: ￥3.07799
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 720 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: TO-252（MP-3ZK）
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63