型号2SJ358-T1-AZ参数

• Renesas
• 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET
• 散装: ￥5.19028
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 23.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: +10V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 600 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 2W（Ta）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: MP-2
• 封装/外壳: TO-243AA