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 型号RN2132MFV,L3F参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
  • 剪切带(CT): ¥1.38000,卷带(TR): ¥0.22469
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 200 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2): -
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 @ 1mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁: -
  • 功率 - 最大值: 150 mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-723
  • 供应商器件封装: VESM
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
RN2104JXHNB16T

500 - - 最新批号 最新供应

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