型号RN1973(TE85L,F)参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
• 卷带（TR）: ￥0.68382
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
• 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
• 电阻器 - 发射极 (R2): -
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 1mA，5V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250μA，5mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁: -
• 功率 - 最大值: 200mW
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: US6