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 型号RN1673(TE85L,F)参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2): -
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 @ 1mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁: -
  • 功率 - 最大值: 300mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装: US6
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
RN1680JXHQS16T

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