型号RN1132MFV,L3F参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
• 卷带（TR）: ￥0.22469
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: NPN - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
• 电阻器 - 基极 (R1): 200 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2): -
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 1mA，5V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 500μA，5mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁: -
• 功率 - 最大值: 150 mW
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-723
• 供应商器件封装: VESM