型号RGL34KHE3/98参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213
• 剪切带（CT）: ￥3.30000,卷带（TR）: ￥1.17842
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 500mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 500 mA
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 250 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 800 V
• 不同?Vr、F 时电容: 4pF @ 4V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: DO-213AA（玻璃）
• 供应商器件封装: DO-213AA（GL34）
• 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C