型号RGF1M-E3/67A参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
• 剪切带（CT）: ￥4.45000,卷带（TR）: ￥1.72331
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 500 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 1000 V
• 不同?Vr、F 时电容: 8.5pF @ 4V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: DO-214BA
• 供应商器件封装: DO-214BA（GF1）
• 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C