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RD5.6JSAB3
型号：RD5.6JSAB3
描述：NEC Electronics, Inc.
厂商：DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode
PDF大小：44 K
页数：8 页
型号RD5.6P-T1-AZ参数
- Renesas
- RD5.6P - 1W ZENER DIODE
- 散装: ￥1.49068
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
- 容差: ±6.25%
- 功率 - 最大值: 1 W
- 阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 μA @ 1.5 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-243AA
- 供应商器件封装: SOT-89
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RD5.6JSAB3
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| 1000 | 进口全新 | PDF资料 | 0710+ | - | |
| RD5.6JSAB3
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| 1000 | 进口全新 | PDF资料 | 0710+ | - |
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