型号RCD100N19TL参数

• Rohm Semiconductor
• MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
• 剪切带（CT）: ￥9.75000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 190 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 182 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 850mW（Ta），20W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: CPT3
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63