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2SB810F

型号:2SB810F

描述:NEC Corporation

厂商:PNP Silicon Transistor

PDF大小:49 K

页数:8 页

 型号2SB852KT146B参数

  • Rohm Semiconductor
  • TRANS PNP DARL 32V 0.3A SMT3
  • 剪切带(CT): ¥4.22000,卷带(TR): ¥1.19546
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 1.5V @ 400μA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值: 200 mW
  • 频率 - 跃迁: 200MHz
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: SMT3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
2SB810F

1000 NEC TO-92S 09+/10+ -

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