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2SB649A
型号：2SB649A
描述：Renesas Technology America, Inc.
厂商：Silicon PNP Epitaxial
PDF大小：45 K
页数：7 页
型号2SB601-AZ参数
- Renesas
- 2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
- 散装: ￥9.27194
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 5 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 1.5V @ 3mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 10μA
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 2000 @ 3A，2V
- 功率 - 最大值: 1.5 W
- 频率 - 跃迁: -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: TO-220-3
- 供应商器件封装: TO-220AB
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB649ATO-126 |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| 2SB649AVB |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| 2SB649A/TO-126
|
| 1000 | 日立 | TO-126 | N/A | - | |
| 2SB649A/TO-126
|
| 1000 | 日立 | TO-126 | N/A | - | |
| 2SB649AB
|
| 1000 | Hitachi Semiconductor | Datasheet | 07+ | - | |
| 2SB649AB
|
| 1000 | Hitachi Semiconductor | Datasheet | 07+ | - |
热门型号:
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