你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 2SA1608Y12 PDF资料

2SA1608Y12

型号:2SA1608Y12

描述:NEC Corporation

厂商:High Frequency Amplifier and Switching PNP Silicon Epitaxial Transistor

PDF大小:306 K

页数:4 页

 型号2SA1987-O(Q)参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS PNP 230V 15A TO3P
  • 散装: ¥20.08070
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 15 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 230 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 3V @ 800mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 5μA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大值: 180 W
  • 频率 - 跃迁: 30MHz
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-3PL
  • 供应商器件封装: TO-3P(L)
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
2SA1608Y12

1000 NEC N/A 1018+ -

点击这里给我发送消息

留言

2SA1608Y12

1000 NEC N/A 1018+ -

留言

2SA1608Y12Y13

1000 进口原装 PDF 0721+ -

点击这里给我发送消息

留言

2SA1608Y12Y13

1000 进口原装 PDF 0721+ -

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30