型号R6509KNXC7G参数

• Rohm Semiconductor
• 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
• 管件: ￥21.66000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 585 毫欧 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 230μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220FM
• 封装/外壳: TO-220-3 整包