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2SA1312
型号：2SA1312
描述：Toshiba America, Inc.
厂商：TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
PDF大小：215 K
页数：3 页
型号2SA1987-O(Q)参数
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS PNP 230V 15A TO3P
- 散装: ￥20.08070
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 15 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 230 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 800mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 5μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 1A，5V
- 功率 - 最大值: 180 W
- 频率 - 跃迁: 30MHz
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: TO-3PL
- 供应商器件封装: TO-3P（L）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1312GRTP |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| 2SA1312 /ABG
|
| 1000 | TOSHIBA | 23 | 08/09+ | - | |
| 2SA1312 /ABG
|
| 1000 | TOSHIBA | 23 | 08/09+ | - | |
| 2SA1312 /ABL
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-23 | 10+ | - | |
| 2SA1312 /ABL
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-23 | 10+ | - | |
| 2SA1312/ABG
|
| 1000 | - | - | 08/09+ | - |
热门型号:
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