型号QS6M4TR参数

• Rohm Semiconductor
• MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
• 剪切带（CT）: ￥4.92000,卷带（TR）: ￥1.72845
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 30V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 1.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 80pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 1.25W
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装: TSMT6（SC-95）